特許
J-GLOBAL ID：201503083901294831

半導体デバイスの導電膜形成用導電性ペースト、および半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法

発明者：
高木 一也

高木 一也 について

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中谷 誠一

中谷 誠一 について

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張替 彦一

張替 彦一 について

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落合 信雄

落合 信雄 について

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中山 真志

中山 真志 について

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大谷 海里

大谷 海里 について

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林田 望

林田 望 について


出願人/特許権者：
京都エレックス株式会社

京都エレックス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-254925
公開番号（公開出願番号）：特開2015-113371
出願日： 2013年12月10日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
要約：
【課題】 添加物として、SeまたはTe、あるいはこれらの化合物を含有している場合に、焼成温度を低下させても、良好なファイヤースルーを実現可能とする。【解決手段】 本発明に係る導電膜形成用導電性ペーストは、(A)導電性粉末と、(B)第一の添加物である、Se、Te、Seを含有する化合物、およびTeを含有する化合物からなる第一の群より選択される少なくとも1種と、(C)第二の添加物である、V,Nb,Ta,Sb,Bi,Mn,Ge,SiおよびWからなる第二の群より選択される少なくとも1種の元素を含有する化合物と、(D)ガラスフリットと、(E)有機バインダと、(F)溶剤とを含有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
半導体デバイスが備える導電膜の形成に用いられ、 (A)導電性粉末と、 (B)Se、Te、Seを含有する化合物、およびTeを含有する化合物からなる第一の群より選択される少なくとも1種である、第一の添加物と、 (C)当該第一の添加物とともに併用され、V,Nb,Ta,Sb,Bi,Mn,Ge,SiおよびWからなる第二の群より選択される少なくとも1種の元素を含有する化合物である、第二の添加物と、 (D)ガラスフリットと、 (E)有機バインダと、 (F)溶剤と、 を含有することを特徴とする、 導電膜形成用導電性ペースト。
IPC (6件)：
C09D 1/04 ,  H01B 1/22 ,  H01B 1/00 ,  C09D 7/12 ,  H01L 31/04 ,  C09D 5/24
FI (7件)：
C09D1/04 ,  H01B1/22 A ,  H01B1/00 C ,  H01B1/00 F ,  C09D7/12 ,  H01L31/04 H ,  C09D5/24
Fターム (30件)：
4J038BA022 ,  4J038HA061 ,  4J038HA102 ,  4J038HA106 ,  4J038HA162 ,  4J038HA166 ,  4J038HA482 ,  4J038JC38 ,  4J038KA20 ,  4J038NA13 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB13 ,  5F151FA10 ,  5F151HA01 ,  5G301DA03 ,  5G301DA04 ,  5G301DA06 ,  5G301DA10 ,  5G301DA11 ,  5G301DA29 ,  5G301DA32 ,  5G301DA33 ,  5G301DA36 ,  5G301DA38 ,  5G301DA40 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DE01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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