特許
J-GLOBAL ID:201503084369103000

化学機械研磨パッドおよびそれを用いた化学機械研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  松本 充史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-234877
公開番号(公開出願番号):特開2015-095581
出願日: 2013年11月13日
公開日(公表日): 2015年05月18日
要約:
【課題】CMPにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥(スクラッチ)の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学機械研磨パッドは、架橋重合体を含む研磨層を有する化学機械研磨パッドであって、前記架橋重合体は、(A)水酸基含有ポリマーが(B)エポキシ基含有化合物を用いて架橋されてなる重合体であることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
架橋重合体を含む研磨層を有する化学機械研磨パッドであって、 前記架橋重合体は、(A)水酸基含有ポリマーが(B)エポキシ基含有化合物を用いて架橋されてなる重合体であることを特徴とする、化学機械研磨パッド。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/24
FI (3件):
H01L21/304 622F ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 N
Fターム (11件):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  5F057AA03 ,  5F057BA11 ,  5F057CA11 ,  5F057DA03 ,  5F057EB03 ,  5F057EB05 ,  5F057EB09

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