特許

J-GLOBAL ID：201503084719752669

半導体発光素子、半導体ウェーハ及び半導体発光素子の製造方法

発明者： 黄 鐘日 ,  橋本 玲 ,  斎藤 真司 ,  布上 真也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-150504
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023164
出願日： 2013年07月19日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
要約：

【課題】発光効率を向上させることのできる半導体発光素子、半導体ウェーハ及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光層と、第1半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第1半導体層は、第1方向において前記発光層と並び、窒化物半導体を含む。第1半導体層は、第1の格子極性を有する第1部分と、第1方向に対して垂直な第2方向において第1部分と並び、第1の格子極性とは異なる第2の格子極性を有する第2部分と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層と、 第1方向において前記発光層と並び、窒化物半導体を含む第1半導体層であって、第1の格子極性を有する第1部分と、前記第1方向に対して垂直な第2方向において前記第1部分と並び、前記第1の格子極性とは異なる第2の格子極性を有する第2部分と、を含む第1半導体層と、 を備えた半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/32 ,  H01L 33/16 ,  H01L 33/06

FI (3件)：

H01L33/00 186 ,  H01L33/00 160 ,  H01L33/00 112

Fターム (6件)：

5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65