特許
J-GLOBAL ID：201503085265121932
高コントラスト位置合わせマークを備えたモールドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-220816
公開番号（公開出願番号）：特開2015-082624
出願日： 2013年10月24日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
要約：
【課題】位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせ用凹部内に存在するナノインプリント用モールドを簡単な工程で製造する。【解決手段】基板上の薄膜に凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、次の(1)〜(3)の工程を含むことを特徴とする。 (1)ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程 (2)前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び/又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程 (3)前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程【選択図】図3
請求項（抜粋）：
インプリント面に、デバイスパターン用の凹凸が形成されたデバイスパターン領域と、位置合わせマーク用の位置合わせマーク領域とを有し、基板上の薄膜にデバイスパターン用凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、少なくとも次の(1)〜(3)の工程を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
(1)ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、前記デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程
(2)前記ドライエッチング工程後、前記ドライエッチング用マスクパターン膜を除去せずに、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び/又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
(3)前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程
IPC (3件)：
H01L 21/027
, B29C 59/02
, G03F 9/00
H01L21/30 502D
, B29C59/02 B
, H01L21/30 522
, G03F9/00 H
4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ06
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN09
, 4F209PN13
, 4F209PQ11
, 5F146AA31
, 5F146AA32
, 5F146EA12
, 5F146EA23
, 5F146EB02
