特許

J-GLOBAL ID：201503086324161249

半導体装置およびその作製方法

発明者： 遠藤 佑太 ,  野田 耕生 ,  佐藤 優一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-157316
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053478
出願日： 2014年08月01日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。または、酸素欠損の低減された酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。または、電気特性の優れたトランジスタを提供する。【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、第1の絶縁膜は第1の領域と、第2の領域と、を有し、第1の領域は、第2の領域よりも酸素を透過させにくい領域であり、第1の酸化物半導体膜は少なくとも第2の領域上に配置される半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の島状の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、 前記第1の絶縁膜は第1の領域と、第2の領域と、を有し、 前記第1の領域は、前記第2の領域よりも酸素を透過させにくい領域であり、前記第1の酸化物半導体膜は少なくとも前記第2の領域上に配置されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627Z

Fターム (77件)：

5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE25 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19