特許
J-GLOBAL ID：201503086782675847
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤原 康高
, 野木 新治
, 高橋 拓也
, 黒田 久美子
, 大西 邦幸
, 石川 隆史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-205884
公開番号（公開出願番号）：特開2015-026797
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
要約：
【課題】耐圧を向上させることが可能な終端構造を持つ半導体装置を提供することである。【解決手段】第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層に接して設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層に接し前記第1半導体層内に設けられた第2導電型の第2半導体層と、前記第1絶縁層内に設けられ前記第1半導体層からの距離が異なる複数個の平坦なフィールドプレート電極が周期的に配置され、周期的に配置された前記フィールドプレート電極のうち、セル領域に最も近い1周期の前記フィールドプレート電極はエミッタ電極に接続されており、エミッタ電極に接続された前記フィールドプレート電極より外側の前記フィールドプレート電極はフローティングされている半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層に接して設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に接し前記第1半導体層内に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第1絶縁層内に設けられ前記第1半導体層からの距離が異なる複数個の平坦なフィールドプレート電極が周期的に配置され、
周期的に配置された前記フィールドプレート電極のうち、セル領域に最も近い1周期の前記フィールドプレート電極はエミッタ電極に接続されており、
エミッタ電極に接続された前記フィールドプレート電極より外側の前記フィールドプレート電極はフローティングされている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, H01L 29/78
, H01L 29/739
H01L29/78 652P
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 653A
, H01L29/06 301F
, H01L29/06 301G
, H01L29/06 301V
