特許

J-GLOBAL ID：201503087042944271

スパッタリング装置及びスパッタリング成膜方法

発明者： 水村 通伸
出願人/特許権者： 株式会社ブイ・テクノロジー
代理人 (3件)： 小川 護晃 ,  西山 春之 ,  奥山 尚一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-141075
公開番号（公開出願番号）：特開2015-014024
出願日： 2013年07月04日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】成膜される薄膜パターンの高精細化及び膜厚分布を基板全面に亘って均一にする。【解決手段】真空室7内で、対向配置されたターゲット10と基板11との間にプラズマを発生させ、メタルマスク13を介して成膜するスパッタリング装置であって、前記基板11の裏面側に設置された磁石12により吸引して、複数の貫通孔を設けた磁性金属材料からなるメタルマスク13を前記基板11の成膜表面に密着させた状態で前記基板11を保持する基板ホルダー3と、前記メタルマスク13に通電可能に設けられた直流電源6と、を備えたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空室内で、対向配置されたターゲットと基板との間にプラズマを発生させ、メタルマスクを介して成膜するスパッタリング装置であって、 前記基板の裏面側に設置された磁石により吸引して、複数の貫通孔を設けた磁性金属材料からなるメタルマスクを前記基板の成膜表面に密着させた状態で前記基板を保持する基板ホルダーと、 前記メタルマスクに通電可能に設けられた電源と、 を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/04 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

C23C14/04 A ,  H05H1/46 M

Fターム (5件)：

4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03 ,  4K029HA04