特許

J-GLOBAL ID：201503087380595592

積層体の製造方法

発明者： 藤井 健志 ,  佐藤 まり子
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-128644
公開番号（公開出願番号）：特開2015-004085
出願日： 2013年06月19日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
要約：

【課題】表面の微細な凹凸が低減された積層体を安定的に得ることができる積層体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の積層体の製造方法は、以下の(1)および(2)の2つの工程を少なくとも含む。 (1)少なくとも一面110にキャップ層101が設けられた金属基板103を準備する工程 (2)エッチングガスと原料ガスとを含む混合ガスを、金属基板103の一面110に設けられたキャップ層101に供給することにより、キャップ層101をエッチングして金属基板103の一面110を露出させながら、化学気相成長法を用いて金属基板103の露出した開口部105から上記原料ガスにより無機物107を順次成長させ、最終的に金属基板103の一面110の全面に無機層109を形成する工程【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一面にキャップ層が設けられた金属基板を準備する工程と、 エッチングガスと原料ガスとを含む混合ガスを、前記金属基板の前記一面に設けられたキャップ層に供給することにより、前記キャップ層をエッチングして前記金属基板の前記一面を露出させながら、化学気相成長法を用いて前記金属基板の露出した開口部から前記原料ガスにより無機物を順次成長させ、最終的に前記金属基板の前記一面の全面に無機層を形成する工程と、 を含む積層体の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 ,  C23C 14/06 ,  B32B 15/04 ,  B32B 9/00

FI (5件)：

C23C16/26 ,  C01B31/02 101Z ,  C23C14/06 F ,  B32B15/04 B ,  B32B9/00 A

Fターム (51件)：

4F100AA37B ,  4F100AB01A ,  4F100AB17A ,  4F100AB33A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH66B ,  4F100EH90B ,  4F100GB48 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146CB03 ,  4G146CB11 ,  4G146CB19 ,  4G146CB29 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  4G146CB39 ,  4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BB10 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030JA06 ,  4K030LA16