特許
J-GLOBAL ID：201503088035834866

鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法

発明者：
ユ・ルオ

ユ・ルオ について

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ネイル・ディー・ブラウン

ネイル・ディー・ブラウン について

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マイケル・ピー・トーベン

マイケル・ピー・トーベン について


出願人/特許権者：
ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. について


代理人 (1件)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-243538
公開番号（公開出願番号）：特開2015-045094
出願日： 2014年12月01日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：
【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス-スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
a)複数の相互接続バンプパッドを有する半導体ダイを提供し; b)前記相互接続バンプパッド上にシード層を形成し; c)1種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオン、銅イオンおよびビスマスイオンからなる群から選択される、1種以上の合金形成金属イオン源、1種以上のフラボン化合物、並びに2,4-ジチア-1,5-ペンタンジオール、2,5-ジチア-1,6-ヘキサンジオール、2,6-ジチア-1,7-ヘプタンジオール、2,7-ジチア-1,8-オクタンジオール、2,8-ジチア-1,9-ノナンジオール、2,9-ジチア-1,10-デカンジオール、2,11-ジチア-1,12-ドデカンジオール、5,8-ジチア-1,12-ドデカンジオール、2,15-ジチア-1,16-ヘキサデカンジオール、2,21-ジチア-1,22-ドエイカサンジオール、3,5-ジチア-1,7-ヘプタンジオール、3,6-ジチア-1,8-オクタンジオール、3,8-ジチア-1,10-デカンジオール、3,10-ジチア-1,8-ドデカンジオール、3,13-ジチア-1,15-ペンタデカンジオール、3,18-ジチア-1,20-エイコサンジオール、4,6-ジチア-1,9-ノナンジオール、4,7-ジチア-1,10-デカンジオール、4,11-ジチア-1,14-テトラデカンジオール、4,15-ジチア-1,18-オクタデカンジオール、4,19-ジチア-1,22-ドデエイコサンジオール、5,7-ジチア-1,11-ウンデカンジオール、5,9-ジチア-1,13-トリデカンジオール、5,13-ジチア-1,17-ヘプタデカンジオール、5,17-ジチア-1,21-ウンエイコサンジオール、および1,8-ジメチル-3,6-ジチア-1,8-オクタンジオールから選択される1種以上の化合物を含む組成物と前記半導体ダイとを接触させて、前記組成物に電流を流すことにより、前記相互接続バンプパッド上にスズ-合金相互接続バンプ層を堆積させ;並びに d)前記相互接続バンプ層をリフローする; ことを含む方法。
IPC (5件)：
C25D 3/30 ,  C25D 3/60 ,  C25D 7/12 ,  C25D 5/50 ,  H01L 21/60
FI (5件)：
C25D3/30 ,  C25D3/60 ,  C25D7/12 ,  C25D5/50 ,  H01L21/92 604B
Fターム (20件)：
4K023AB34 ,  4K023BA29 ,  4K023CB03 ,  4K023CB05 ,  4K023CB08 ,  4K023DA02 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA21 ,  4K024BB10 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024BB13 ,  4K024BC02 ,  4K024CA02 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024DB02 ,  4K024FA05 ,  4K024GA16
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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