特許

J-GLOBAL ID：201503088563651170

熱電変換素子および熱電変換モジュール

発明者： 林 直之 ,  高橋 依里
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138167
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012236
出願日： 2013年07月01日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】有機材料からなるn型半導体とp型半導体とを用いる熱電変換素子、および、この熱電変換素子を用いる熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】基板の上に電極対を形成し、電極対の間に絶縁層を形成し、一方の電極の上に有機系n型熱電変換材料を含むn型熱電変換層を、他方の電極の上に有機系p型熱電変換材料を含むp型熱電変換層を、それぞれ形成して、かつ、n型熱電変換層および有機系p型熱電変換材料は、絶縁層によって離間される離間領域と、その上部の互いに接合する接触領域とを有することにより、この課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の表面に、互いに離間して形成される一対の電極と、 前記基板に接触し、かつ、前記一対の電極の互いに対面する側の端部を覆って、前記一対の電極の間に形成される絶縁層と、 前記一対の電極の一方の少なくとも一部を覆って形成される、有機系p型熱電変換材料を含有するp型熱電変換層、および、前記一対の電極の他方の少なくとも一部を覆って形成される、有機系n型熱電変換材料を含有するn型熱電変換層からなる熱電変換層とを有し、 かつ、前記p型熱電変換層およびn型熱電変換層は、前記絶縁層によって離間されている離間領域と、前記絶縁層の上部で互いに接合する接触領域とを有することを特徴とする熱電変換素子。

IPC (6件)：

H01L 35/24 ,  H01L 35/32 ,  H01L 51/00 ,  H01L 51/30 ,  H02N 11/00 ,  H01L 35/34

FI (6件)：

H01L35/24 ,  H01L35/32 A ,  H01L29/28 100Z ,  H01L29/28 250E ,  H02N11/00 A ,  H01L35/34