特許
J-GLOBAL ID：201503088657945819
光電変換素子および光電変換素子の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-124780
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002203
出願日： 2013年06月13日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
要約：
【課題】光電変換素子の光電変換効率を高める。【解決手段】本発明のある態様の光電変換素子10では、受光側とは反対側の基板90の主表面に光反射層100が設けられている。光反射層100は、金属膜102および誘電体104を含む。金属膜102は、基板90に接して設けられている。金属膜102を構成する金属としは、例えば、Ag、Al、Au、Cuまたはこれらの金属の合金が挙げられる。金属膜102の量子構造層60の側の主表面には、四角柱状の複数の凹部112が形成されている。複数の凹部112は、光反射層100の主表面を平面視したときに正方格子状になるように配列されており、各凹部112に誘電体104が充填されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光電変換層と、
前記光電変換層の受光面側とは反対側に設けられている金属膜と、前記金属膜の前記光電変換層の側の主表面に設けられた複数の凹部にそれぞれ充填された誘電体と、を有する光反射層と、
を備え、
前記光電変換層と対向する前記光反射層の主表面を平面視したときに前記誘電体の露出部が四角形状であり、
前記光電変換層と対向する前記光反射層の主表面を平面視したときに複数の前記誘電体が正方格子状に配列されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 F
, H01L31/04 E
5F151AA01
, 5F151AA08
, 5F151AA10
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151GA04
, 5F151GA11
