特許

J-GLOBAL ID：201503089000702505

シリコン系薄膜の製造方法およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 中村 ウィリアム 誠 ,  福井 雄司 ,  一色 和彦 ,  犬塚 宏行 ,  谷尻 耕一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-211753
公開番号（公開出願番号）：特開2015-076509
出願日： 2013年10月09日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
要約：

【課題】同一のプラズマCVD成膜室内でシリコン系薄膜を形成する工程を複数回含むシリコン系薄膜の製造方法であって、第1回目に形成されるシリコン系薄膜の品質に比べて、第2回目以降の第k回目に形成されるシリコン系薄膜の品質の低下を抑制できるシリコン系薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン系薄膜の製造方法は、同一のプラズマCVD成膜室内でシリコン系薄膜を形成する工程S10を複数回含み、プラズマCVD成膜室内で第1回目のシリコン系薄膜を形成する工程S101の後、プラズマCVD成膜室内で第2回目以後の第k回目のシリコン系薄膜を形成する工程S10kの前に、プラズマCVD成膜室内にカソード冷却ガスCCGを流通させることにより、プラズマCVD成膜室内のカソードを冷却する工程S30と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一のプラズマCVD成膜室内でシリコン系薄膜を形成する工程を複数回含み、 前記プラズマCVD成膜室内で第1回目の前記シリコン系薄膜を形成する工程の後、前記プラズマCVD成膜室内で第2回目以後の第k回目の前記シリコン系薄膜を形成する工程の前に、前記プラズマCVD成膜室内にカソード冷却ガスを流通させることにより前記プラズマCVD成膜室内のカソードを冷却する工程、をさらに含むシリコン系薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/06 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44

FI (5件)：

H01L21/205 ,  H01L31/04 B ,  H01L31/04 A ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 J

Fターム (30件)：

4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA26 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP20 ,  5F045EB06 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ05 ,  5F045HA22 ,  5F151AA00 ,  5F151CA15 ,  5F151CB01 ,  5F151DA04 ,  5F151FA02 ,  5F151GA03