絶縁基板と冷却器の接合構造体、その製造方法、パワー半導体モジュール、及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 高橋俊一 , 伊藤正和 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-206912
公開番号（公開出願番号）：特開2015-072958
出願日： 2013年10月02日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
要約：

【課題】温度差が大きい冷熱サイクルストレスに対して、高い耐性を有する絶縁基板と冷却器の接合構造体、接合構造体の製造方法、パワー半導体モジュール、及びパワー半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】セラミック基板11と、この上面に接合された上部回路金属板13と、下面に接合された下部回路金属板12を含む絶縁基板200を備える。更に、金属製の冷却器100、及び絶縁基板200と冷却器100の間に、下部回路金属板12と冷却器100を接合し、且つ、平面視の面積が下部回路金属板12よりも小さい超高温接合層10を有する。下部回路金属板12の、冷却器100側に接する面に、超高温接合層10の周囲に沿った切欠部31が形成され、該切欠部31は、超高温接合層10が、下部回路金属板12に対して平面視で縮小相似形状に形成されるように、超高温接合層10の形成時に生じる濡れ拡がりを抑制する形状とされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平板形状のセラミック基板と、該セラミック基板の上面に接合された上部回路金属板と、前記セラミック基板の下面に接合され低熱膨張高弾性金属層を少なくとも1層備えた下部回路金属板と、を含む絶縁基板と、金属製の冷却器と、融点または固相線温度が600°C以上であり、前記下部回路金属板と前記冷却器の表面とを接合し、且つ、平面視の面積が前記下部回路金属板よりも小さい超高温接合層と、を有し、前記下部回路金属板の、前記冷却器側に接する面に、前記超高温接合層の周囲に沿った枠体が形成され、前記枠体は、前記超高温接合層が、前記下部回路金属板に対して平面視で縮小相似形状に形成されるように、前記超高温接合層の形成時に生じる濡れ拡がりを抑制する形状とされていることを特徴とする絶縁基板と冷却器の接合構造体。

IPC (3件)：

H01L 23/40 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L23/40 F , H01L25/04 C

Fターム (14件)：

5F136BC05 , 5F136BC06 , 5F136DA27 , 5F136EA15 , 5F136FA03 , 5F136FA04 , 5F136FA05 , 5F136FA06 , 5F136FA14 , 5F136FA16 , 5F136FA18 , 5F136FA75 , 5F136FA83 , 5F136GA40

前のページに戻る