特許
J-GLOBAL ID：201503089555656258
高純度チタンインゴット、その製造方法及びチタンスパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小越 勇
, 小越 一輝
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013053307
公開番号（公開出願番号）：WO2013-122069
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
添加元素とガス成分を除き純度が99.99質量%以上である高純度チタンインゴットであって、添加成分としてS、P又はBから選択される1種以上の非金属元素を合計0.1〜100質量ppm含有し、同一インゴット内での上部、中間部、底部での非金属元素のばらつきが、±200%以内であることを特徴とするチタンインゴット。添加元素とガス成分を除き純度が99.99質量%以上である高純度チタンインゴットを製造するに際して、溶解したチタンに、非金属元素であるS、PまたはBを金属間化合物あるいは母合金として添加することを特徴とする非金属元素を0.1〜100質量ppm含有するチタンインゴットの製造方法。S、PまたはBから選択される1種以上の非金属元素を添加することで、インゴット内及びインゴット間の非金属元素含有量のばらつきを減少させると共に、均一組織を備えかつ強度を向上させた高純度チタンを提供することを課題とする。
請求項（抜粋）：
添加元素とガス成分を除き純度が99.99質量%以上である高純度チタンインゴットであって、添加成分としてS、P又はBから選択される1種以上の非金属元素を合計0.1〜100質量ppm含有し、同一インゴット内での上部、中間部、底部での非金属元素のばらつきが、±200%以内であることを特徴とするチタンインゴット。
IPC (6件)：
B22D 21/06
, B22D 27/20
, C22C 14/00
, C22B 9/20
, C22B 9/22
, C22B 34/12
B22D21/06
, B22D27/20 Z
, C22C14/00 Z
, C22B9/20
, C22B9/22
, C22B34/12 103
4K001AA27
, 4K001BA23
, 4K001FA10
, 4K001FA13
, 4K001GA16
, 4K001GA19
