特許

J-GLOBAL ID：201503091034075334

半導体の抵抗率検査装置および半導体の抵抗率検査方法

発明者： 前川 陽
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-194311
公開番号（公開出願番号）：特開2015-059858
出願日： 2013年09月19日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：

【課題】測定精度を向上させることができる、あるいは測定時間を短くすることができる半導体の抵抗率検査装置および半導体の抵抗率検査方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1のチョッパと、第2のチョッパと、照射部と、検出器と、第1のロックインアンプと、第2のロックインアンプと、コンピュータと、を備えた半導体の抵抗率検査装置が提供される。第1のチョッパは、第1の光源から放出され横光学フォノン周波数と縦光学フォノン周波数との間の波長である第1の波長の赤外光を第1のチョッピング周波数でチョッピングする。第2のチョッパは、第2の光源から放出され第1の波長とは異なる波長である第2の波長の赤外光を第2のチョッピング周波数でチョッピングする。コンピュータは、反射光のうちの第1の波長の赤外光の反射率と、反射光のうちの第2の波長の赤外光の反射率と、の間の比を評価する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材に形成された半導体の抵抗率を検査する半導体の抵抗率検査装置であって、 第1の光源から放出され横光学フォノン周波数と縦光学フォノン周波数との間の波長である第1の波長の赤外光を第1のチョッピング周波数でチョッピングする第1のチョッパと、 第2の光源から放出され前記第1の波長とは異なる波長である第2の波長の赤外光を第2のチョッピング周波数でチョッピングする第2のチョッパと、 前記第1の波長の赤外光と前記第2の波長の赤外光とを合成した合成光を前記半導体に照射する照射部と、 前記合成光が前記半導体において反射した反射光の強度を検出する検出器と、 前記検出器から送信された信号の中から前記第1のチョッピング周波数の信号を検出する第1のロックインアンプと、 前記検出器から送信された信号の中から前記第2のチョッピング周波数の信号を検出する第2のロックインアンプと、 前記第1のロックインアンプおよび前記第2のロックインアンプから送信された信号に基づいて、前記反射光のうちの前記第1の波長の赤外光の反射率と、前記反射光のうちの前記第2の波長の赤外光の反射率と、の間の比を評価するコンピュータと、 を備えた半導体の抵抗率検査装置。

IPC (2件)：

G01N 21/356 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

G01N21/35 103 ,  H01L21/66 L

Fターム (28件)：

2G059AA03 ,  2G059BB10 ,  2G059EE02 ,  2G059GG03 ,  2G059GG07 ,  2G059GG09 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ22 ,  2G059JJ24 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM03 ,  2G059MM05 ,  2G059MM10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA08 ,  4M106CA10 ,  4M106DH09 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DH37 ,  4M106DH39 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21