特許

J-GLOBAL ID：201503091177400104

半導体装置および誘電体膜

発明者： 井野 恒洋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-140431
公開番号（公開出願番号）：特開2015-015334
出願日： 2013年07月04日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】抗電界が低い酸化ハフニウムの強誘電体膜またはフェリ誘電体膜を備える半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、Zn、Mg、Mn、Nb、Sc、Fe、Cr、Co、In、Li、Nから選ばれる少なくとも1種の元素Aを含む酸化ハフニウムの強誘電体膜またはフェリ誘電体膜と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、 第2の導電層と、 前記第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、Zn、Mg、Mn、Nb、Sc、Fe、Cr、Co、In、Li、Nから選ばれる少なくとも1種の元素Aを含む酸化ハフニウムの強誘電体膜またはフェリ誘電体膜と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/78 371

Fターム (20件)：

5F083FR02 ,  5F083FR05 ,  5F083FR06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA12 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F101BA62 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法、該半導体装置に係る測定用治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-338307   出願人：富士通株式会社
• 強誘電体構造物、これの製造方法、これを含む半導体装置及びそれの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-061486   出願人：三星電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Ferroelectricity in Gd-Doped HfO2 Thin Films