特許

J-GLOBAL ID：201503091903729960

プラズマ処理方法

発明者： 味上 俊一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-214780
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079793
出願日： 2013年10月15日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：

【課題】下地層を保護しながら、シリコン含有膜をエッチングする際に生じた反応生成物を除去できるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】エッチングパターンが形成されたエッチングマスクを用いて基板上に形成されたシリコン含有膜を処理するプラズマ処理方法であって、シリコン含有膜をエッチングする際に生じた反応生成物を、ハロゲン、水素及び炭素を含有する第1のガスから生成されたプラズマにより除去する除去工程を含む、プラズマ処理方法が提供される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

エッチングパターンが形成されたエッチングマスクを用いて基板上に形成されたシリコン含有膜を処理するプラズマ処理方法であって、 前記シリコン含有膜をエッチングする際に生じた反応生成物を、ハロゲン、水素及び炭素を含有する第1のガスから生成されたプラズマにより除去する除去工程を含む、 プラズマ処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/302 102

Fターム (24件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EA38