特許
J-GLOBAL ID：201503091917071770
有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-132877
公開番号（公開出願番号）：特開2015-029091
出願日： 2014年06月27日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
要約：
【課題】本発明は、光電変換効率の高い有機薄膜太陽電池とすることが可能な有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法、及び、該有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法を用いて得られる有機薄膜太陽電池用光電変換層を提供する。【解決手段】融点が1200°C以下の硫化物半導体からなり、平均粒子径が50nm以下の硫化物半導体粒子を含有する分散液を、電子輸送層が形成された導電性基板上に成膜して硫化物半導体膜を形成する工程1、前記硫化物半導体膜及び電子輸送層を形成した積層導電性基板を100〜300°Cで加熱処理する工程2、及び、前記工程2で加熱した後の積層導電性基板を、P型有機半導体を含有する溶液で処理する工程3を有する有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
融点が1200°C以下の硫化物半導体からなり、平均粒子径が50nm以下の硫化物半導体粒子を含有する分散液を、電子輸送層が形成された導電性基板上に成膜して硫化物半導体膜を形成する工程1、
前記硫化物半導体膜及び電子輸送層を形成した積層導電性基板を100〜300°Cで加熱処理する工程2、及び、
前記工程2で加熱した後の積層導電性基板を、P型有機半導体を含有する溶液で処理する工程3を有する
ことを特徴とする有機薄膜太陽電池用光電変換層の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 112B
, H01L31/04 112A
5F151AA07
, 5F151AA11
, 5F151AA12
, 5F151CB13
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA03
