特許
J-GLOBAL ID：201503092789189239
抵抗形成基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤井 兼太郎
, 鎌田 健司
, 前田 浩夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013000454
公開番号（公開出願番号）：WO2013-118455
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
抵抗形成基板は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層の第1面に形成された第1の配線と、第1の絶縁層の第2面に形成された薄膜抵抗層と、第1のビアホール導体と、を有する。第1のビアホール導体は、第1の絶縁層を貫通し、第1の配線と薄膜抵抗層に電気的に接続されている。薄膜抵抗層の主成分はニッケルである。第1のビアホール導体は、低融点金属と高融点金属とを有する金属部分と、ペースト樹脂部とを、有している。低融点金属は、錫とビスマスとを含み、融点が300度以下である。高融点金属は、銅または銀の少なくとも一つを含み、融点が900度以上である。第1のビアホール導体は、ペースト樹脂部と、金属部分との両方で、薄膜抵抗層と接している。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の第1面に形成された第1の配線と、
前記第1の絶縁層の第2面に形成された、ニッケルを主成分とする薄膜抵抗層と、
前記第1の絶縁層を貫通し、前記第1の配線と前記薄膜抵抗層に電気的に接続された第1のビアホール導体と、
を備え、
前記第1のビアホール導体は、
錫とビスマスとを含み、融点が300度以下の低融点金属と、
銅または銀の少なくとも一つを含み、融点が900度以上の高融点金属とを、
有する金属部分と、
ペースト樹脂部とを、有し、
前記第1のビアホール導体は、前記ペースト樹脂部と、前記金属部分との両方で、前記薄膜抵抗層と接している
抵抗形成基板。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5E346AA14
, 5E346AA28
, 5E346AA34
, 5E346AA43
, 5E346BB20
, 5E346CC25
, 5E346CC32
, 5E346CC37
, 5E346FF18
, 5E346FF45
, 5E346GG15
, 5E346GG19
, 5E346GG28
, 5E346HH07
