特許
J-GLOBAL ID：201503092824764454
磁気センサおよび磁場計測方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-212678
公開番号（公開出願番号）：特開2015-075419
出願日： 2013年10月10日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
要約：
【課題】ピンド層の磁化の方位ばらつきに起因する外部磁場の検出精度の低下を軽減することができる。【解決手段】磁気センサ1は、磁化の方位が固定されたピンド層と、磁化の方位が外部磁場に応じて変化するフリー層と、を有して当該外部磁場の強度を検出する磁気抵抗効果素子10と、フリー層の磁化の方位を特定方位、および、当該特定方位と逆の方位に初期化する初期化処理部200と、初期化処理部200が、フリー層を特定方位に初期化した後に、外部磁場の強度を取得する第1の取得ステップと、初期化処理部200が、フリー層を特定方位と逆の方位に初期化した後に、外部磁場の強度を取得する第2の取得ステップと、を実行する計測処理部201と、を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化の方位が固定されたピンド層と、磁化の方位が外部磁場に応じて変化するフリー層と、を有して当該外部磁場の強度を検出する磁気抵抗効果素子と、
前記フリー層の磁化の方位を特定方位、および、当該特定方位と逆の方位に初期化する初期化処理部と、
前記初期化処理部が、前記フリー層を前記特定方位に初期化した後に、前記外部磁場の強度を取得する第1の取得ステップと、前記初期化処理部が、前記フリー層を前記特定方位と逆の方位に初期化した後に、前記外部磁場の強度を取得する第2の取得ステップと、を実行する計測処理部と、
を備えることを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R33/06 R
, H01L43/08 Z
2G017AA01
, 2G017AB09
, 2G017AD55
, 5F092AA15
, 5F092AB01
, 5F092AC08
, 5F092AD08
, 5F092BC04
, 5F092EA08
