特許
J-GLOBAL ID:201503093031250910
半導体装置及びその制御方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-202002
公開番号(公開出願番号):特開2015-070679
出願日: 2013年09月27日
公開日(公表日): 2015年04月13日
要約:
【課題】出力電圧が供給される外部回路のさらなる軽負荷状態を検出すること。【解決手段】スイッチングノードを介して直列に接続された第1及び第2のスイッチング素子と、第1及び第2のスイッチング素子のスイッチング動作をパルス制御するパルス制御部と、第1端がスイッチングノードに接続され、第2端から出力電圧を出力するインダクタと、インダクタを流れるインダクタ電流がゼロであることを検出する検出部と、インダクタ電流がゼロである期間が第1の基準期間を超えた場合、出力電圧が供給される外部回路の動作モードが、第1のモードよりも消費電力の小さい第2のモードであると判定する第1の判定部と、を備えた半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
スイッチングノードを介して直列に接続された第1及び第2のスイッチング素子と、
前記第1及び第2のスイッチング素子のスイッチング動作をパルス制御するパルス制御部と、
第1端が前記スイッチングノードに接続され、第2端から出力電圧を出力するインダクタと、
前記インダクタを流れるインダクタ電流がゼロであることを検出する検出部と、
前記インダクタ電流がゼロである期間が第1の基準期間を超えた場合、前記出力電圧が供給される外部回路の動作モードが、第1のモードよりも消費電力の小さい第2のモードであると判定する第1の判定部と、を備えた半導体装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5H730AA12
, 5H730AS05
, 5H730BB13
, 5H730DD04
, 5H730FD01
, 5H730FD26
, 5H730FD41
, 5H730FG05
引用特許: