特許

J-GLOBAL ID：201503093907030904

ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置

発明者： 上代 洋 ,  徳丸 慎司 ,  松田 亮太郎 ,  佐藤 弘志 ,  北川 進
出願人/特許権者： 新日鐵住金株式会社 ,  国立大学法人京都大学
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  永坂 友康 ,  小林 良博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-180681
公開番号（公開出願番号）：特開2015-086217
出願日： 2014年09月04日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：

【課題】ふっ素原子を含有する配位子から形成されるCID構造を有している新規な多孔性高分子金属錯体(Coordination polymer with InterDigitated structure )及びこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材を提供すること。また、前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。【解決手段】式:[MXY]n(式中、Mは2価の遷移金属イオンであり、Xは第一配位子を示し、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、ビピリジン、4-ピリジル基を分子両末端に有するビピリジン類縁体である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、2価の遷移金属イオンは上記配位子の配位を受けた6配位構造で、通称CIDと呼ばれる相互嵌合型ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(1) [MXY]n (1) (式中、Mは2価の遷移金属イオンであり、Xは第一配位子を示し、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、ビピリジン、4-ピリジル基を分子両末端に有するビピリジン類縁体である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。) で表され、2価の遷移金属イオンは前記第一配位子と前記第二配位子の配位を受けた6配位構造で、CIDと呼ばれる相互嵌合型ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体。

IPC (5件)：

C07D 213/22 ,  C08G 79/00 ,  B01J 20/26 ,  C07D 213/77 ,  C07D 213/53

FI (5件)：

C07D213/22 ,  C08G79/00 ,  B01J20/26 A ,  C07D213/77 ,  C07D213/53

Fターム (54件)：

3E172AA02 ,  3E172AA05 ,  3E172AB20 ,  3E172BA09 ,  3E172FA11 ,  4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA06 ,  4C055DA30 ,  4C055DA52 ,  4C055DB17 ,  4C055EA01 ,  4C055GA02 ,  4C063AA03 ,  4C063BB01 ,  4C063CC47 ,  4C063CC92 ,  4C063DD12 ,  4C063EE10 ,  4G066AB24B ,  4G066AC11B ,  4G066AC33B ,  4G066AC35B ,  4G066BA22 ,  4G066BA36 ,  4G066CA35 ,  4G066CA37 ,  4G066DA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006AB84 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BS30 ,  4H048AA03 ,  4H048AB46 ,  4H048AB84 ,  4H048VA32 ,  4H048VB10 ,  4H050AA03 ,  4H050AB46 ,  4H050AB84 ,  4H050WB13 ,  4H050WB14 ,  4J030CA02 ,  4J030CB01 ,  4J030CC02 ,  4J030CC04 ,  4J030CC30 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 金属錯体、該金属錯体の製造方法および分離材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-251395   出願人：昭和電工株式会社, 株式会社クラレ, 国立大学法人京都大学
• 金属錯体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-130104   出願人：株式会社クラレ, 国立大学法人京都大学
• 金属錯体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-132707   出願人：株式会社クラレ, 国立大学法人京都大学
• 有機金属錯体、ガス分離用成形体及びガス分離法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-002055   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 金属錯体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-153928   出願人：株式会社クラレ, 昭栄化学工業株式会社, 昭和電工株式会社, 東洋紡績株式会社, 国立大学法人京都大学
• 金属錯体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-188542   出願人：株式会社クラレ, 国立大学法人京都大学

引用文献：

審査官引用 (7件)

• CrystEngComm, 2013, 15(22), pp. 4571-4580
• 多孔性金属錯体(PCP/MOF)の表面化学
• 柔軟な多孔性錯体の固溶体による吸着等温線の精密制御
• Inorganic Chemistry, 2013, 52(13), pp. 7358-7366
• European Journal of Inorganic Chemistry, 2013, 2013(12), pp. 2154-2160
• Chemical Communications, 2011, 47(34), pp. 9603-9605
• Crystal Growth & Design, 2010, 10(3), pp. 1351-1363