特許

J-GLOBAL ID：201503094376352800

半導体装置の製造方法

発明者： 黒川 雄斗 ,  奥田 勝
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-210727
公開番号（公開出願番号）：特開2015-076462
出願日： 2013年10月08日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
要約：

【課題】本明細書は、半導体装置の製造方法において、表面に凸部を有する半導体基板に対して遮光パターンを精度よく投影する技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、露光マスク2を通して半導体基板3に光を照射する工程を有している。半導体基板が、凹部8と、凹部8の周囲に配置されている凸部9を有しており、露光マスクが、凸部6と、凸部6の周囲に配置されているフランジ部5を有しており、凸部6の表面に、遮光パターン7が形成されている。光を照射する工程では、露光マスク2の凸部6を半導体基板3の凹部8内に配置した状態で、露光マスク2を通して半導体基板3に光を照射する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、 露光マスクを通して半導体基板に光を照射する工程を有しており、 半導体基板が、凹部と、凹部の周囲に配置されている凸部を有しており、 露光マスクが、凸部と、凸部の周囲に配置されているフランジ部を有しており、 凸部の表面に、遮光パターンが形成されており、 光を照射する工程では、露光マスクの凸部を半導体基板の凹部内に配置した状態で、露光マスクを通して半導体基板に光が照射される、 製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (4件)：

H01L21/30 505 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 511 ,  G03F7/20 501

Fターム (7件)：

2H097GA31 ,  2H097JA02 ,  5F146AA25 ,  5F146AA26 ,  5F146BA01 ,  5F146DA17 ,  5F146DA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置製造用レチクルおよびマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342684   出願人：関西日本電気株式会社
• 特開昭64-088546