特許

J-GLOBAL ID：201503094782860760

半導体装置の製造方法

発明者： 辻村 理俊
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-262423
公開番号（公開出願番号）：特開2015-119084
出願日： 2013年12月19日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

【課題】 トレンチの底面を含む範囲にp型領域を形成するための新たな方法を提案する。【解決手段】 ゲートトレンチ34を有し、トレンチ34の底面を含む範囲にp型領域32が形成されている半導体装置10の製造方法であって、半導体基板にトレンチ34を形成する工程と、トレンチ34内であってトレンチ34の底面近傍にボロン含有層35を形成する工程と、熱処理によって、ボロン含有層35から半導体基板にボロンを拡散させる工程を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ゲートトレンチを有し、トレンチの底面を含む範囲にp型領域が形成されている半導体装置の製造方法であって、 半導体基板にトレンチを形成する工程と、 トレンチ内であってトレンチの底面近傍にボロン含有層を形成する工程と、 熱処理によって、ボロン含有層から半導体基板にボロンを拡散させる工程、 を有する製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/225

FI (5件)：

H01L29/78 658A ,  H01L21/22 V ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/225 P