特許

J-GLOBAL ID：201503094894851934

層流による多能性維持単一分散細胞培養法

発明者： 小寺 秀俊 ,  巽 和也 ,  横川 隆司 ,  多田 高 ,  長田 翔伍 ,  興津 輝 ,  小此木 孝仁 ,  野田 雄一郎 ,  中西 直之 ,  松村 拓 ,  大隅 孝志
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学 ,  アークレイ株式会社
代理人 (3件)： 川口 嘉之 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012077273
公開番号（公開出願番号）：WO2013-058403
出願日： 2012年10月22日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：

アポトーシス剤の添加によらない、新規のヒト胚性幹細胞(hESCs)およびヒト人工多能性幹細胞(hiPSCs)の単一分散培養によるクローン化方法を提供することを目的とする。より具体的には、剪断応力を利用したhESCsおよびhiPSCsの単一分散培養によるクローン化方法を提供することが本発明の課題である。多能性細胞を単一分散させて培養する方法であって、単一分散させた細胞を層流条件下で培養する方法を提供することにより上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

多能性細胞を単一分散させて培養する方法であって、単一分散させた細胞を層流条件下で培養する、方法。

IPC (4件)：

C12N 5/073 ,  C12N 15/09 ,  C12N 5/10 ,  C12N 1/00

FI (4件)：

C12N5/00 202C ,  C12N15/00 A ,  C12N5/00 102 ,  C12N1/00 B

Fターム (17件)：

4B024AA11 ,  4B024BA80 ,  4B024CA04 ,  4B024GA30 ,  4B024HA14 ,  4B065AA93X ,  4B065AA93Y ,  4B065AB01 ,  4B065AC20 ,  4B065BA02 ,  4B065BB28 ,  4B065BC25 ,  4B065BC41 ,  4B065BC46 ,  4B065BC50 ,  4B065CA44 ,  4B065CA60