特許

J-GLOBAL ID：201503095172651953

電子装置

発明者： 中村 直文
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-190905
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056620
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：

【課題】 電極表面の酸化を抑制することが可能な可変キャパシタを備えた電子装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る電子装置は、基板11と、基板の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第1の電極13aと、第1の電極の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる可動な第2の電極17aと、第1の電極の第2の電極に対向する第1の表面上に設けられた第1の保護絶縁膜14と、第2の電極の第1の電極に対向する第2の表面上に設けられた第2の保護絶縁膜16とを備える。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上方に設けられ、可変キャパシタに用いられる固定された第1の電極と、 前記第1の電極の上方に設けられ、前記可変キャパシタに用いられる可動な第2の電極と、 前記第1の電極の前記第2の電極に対向する第1の表面上に設けられた第1の保護絶縁膜と、 前記第2の電極の前記第1の電極に対向する第2の表面上に設けられた第2の保護絶縁膜と、 を備え、 前記第2の電極の第2の表面の逆側に位置する第3の表面上に設けられた第3の保護絶縁膜をさらに備え、 前記第1の保護絶縁膜は、シリコン(Si)と、窒素(N)及び酸素(O)の少なくとも一方とを含む材料で形成され、 前記第2の保護絶縁膜は、シリコン(Si)と、窒素(N)及び酸素(O)の少なくとも一方とを含む材料で形成され、 前記第1の電極は、アルミニウム(Al)を主成分として含む材料で形成され、 前記第2の電極は、アルミニウム(Al)を主成分として含む材料で形成されている ことを特徴とする電子装置。

IPC (3件)：

H01G 5/16 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00

FI (3件)：

H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Fターム (11件)：

3C081AA01 ,  3C081BA43 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA29 ,  3C081DA22 ,  3C081DA27 ,  3C081EA24

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 可変キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262100   出願人：株式会社ニコン