特許
J-GLOBAL ID:201503095823020868
部分フッ素化ジオキソランの製造方法、ジオキソールの製造方法、及び、電解質の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
畠山 文夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-124130
公開番号(公開出願番号):特開2014-240374
出願日: 2013年06月12日
公開日(公表日): 2014年12月25日
要約:
【課題】ジオキソールを製造するための原料として用いられる部分フッ素化ジオキソランを安価に製造可能な部分フッ素化ジオキソランの製造方法、および、これを用いたジオキソールおよび電解質の製造方法の提供。【解決手段】部分フッ素化エステル((1)式)と、R2アニオンとを反応させることによる部分フッ素化ジオキソラン((2)式)の製造方法。[式中、X1はCl等、RはX1等、R1、R2は、炭素数1以上10以下のアルキル基、部分フッ素化アルキル基等、R1及びR2の少なくとも一方は、部分フッ素化アルキル基等、nは1以上5以下の整数。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
(1)式で表される構造を備えた脱離基X1を有する部分フッ素化エステルと、R2アニオンとを反応させ、(2)式で表される構造を備えた部分フッ素化ジオキソランを得る反応工程
を備えた部分フッ素化ジオキソランの製造方法。
IPC (3件):
C07D 317/16
, C08F 34/02
, H01M 10/056
FI (3件):
C07D317/16
, C08F34/02
, H01M10/0567
Fターム (19件):
4J100AC26Q
, 4J100AE38Q
, 4J100AR32P
, 4J100BA57Q
, 4J100BA59Q
, 4J100BA67Q
, 4J100BB11Q
, 4J100CA04
, 4J100DA56
, 4J100JA45
, 5H018AA06
, 5H018EE18
, 5H026AA06
, 5H026CX05
, 5H026EE19
, 5H029AJ02
, 5H029AJ05
, 5H029AM01
, 5H029HJ02
引用特許: