特許
J-GLOBAL ID:201503096372919620

スパッタリングターゲット及び酸化物透明導電膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-162485
公開番号(公開出願番号):特開2015-030896
出願日: 2013年08月05日
公開日(公表日): 2015年02月16日
要約:
【課題】比抵抗が1500μΩcm以下であり、かつ波長550nmにおける屈折率が2.06以下である透明導電膜、及びその透明導電膜を製造することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム元素(In)及びゲルマニウム元素(Ge)を含む酸化物焼結体からなり、下記式(1)を満たすスパッタリングターゲット。 0.01≦Ge/(In+Ge)≦0.33 (1)(式中、In、Geはそれぞれ各元素の原子比を示す。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
インジウム元素(In)及びゲルマニウム元素(Ge)を含む酸化物焼結体からなり、下記式(1)を満たすスパッタリングターゲット。 0.01≦Ge/(In+Ge)≦0.33 (1) (式中、In、Geはそれぞれ各元素の原子比を示す。)
IPC (5件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C04B 35/00 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00
FI (5件):
C23C14/34 A ,  C23C14/08 D ,  C04B35/00 J ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B
Fターム (27件):
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA08 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

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