特許
J-GLOBAL ID:201503096372919620
スパッタリングターゲット及び酸化物透明導電膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
渡辺 喜平
, 田中 有子
, 佐藤 猛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-162485
公開番号(公開出願番号):特開2015-030896
出願日: 2013年08月05日
公開日(公表日): 2015年02月16日
要約:
【課題】比抵抗が1500μΩcm以下であり、かつ波長550nmにおける屈折率が2.06以下である透明導電膜、及びその透明導電膜を製造することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム元素(In)及びゲルマニウム元素(Ge)を含む酸化物焼結体からなり、下記式(1)を満たすスパッタリングターゲット。 0.01≦Ge/(In+Ge)≦0.33 (1)(式中、In、Geはそれぞれ各元素の原子比を示す。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
インジウム元素(In)及びゲルマニウム元素(Ge)を含む酸化物焼結体からなり、下記式(1)を満たすスパッタリングターゲット。
0.01≦Ge/(In+Ge)≦0.33 (1)
(式中、In、Geはそれぞれ各元素の原子比を示す。)
IPC (5件):
C23C 14/34
, C23C 14/08
, C04B 35/00
, H01B 5/14
, H01B 13/00
FI (5件):
C23C14/34 A
, C23C14/08 D
, C04B35/00 J
, H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
Fターム (27件):
4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030AA38
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030CA01
, 4G030GA08
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA45
, 4K029BB10
, 4K029BC09
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G307FC09
, 5G323BA02
, 5G323BB05
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