特許

J-GLOBAL ID：201503096413275270

半導体装置

発明者： 畑田 出穂 ,  大鳥居 英 ,  岡 修一 ,  柳川 周作
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (4件)： 岩田 雅信 ,  中川 裕人 ,  鈴木 伸夫 ,  脇 篤夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-133772
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012005
出願日： 2013年06月26日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】故障した半導体素子を除去する際に、周囲に実装されている正常な半導体素子が故障してしまったり、正常な半導体素子までが除去されてしまう。【解決手段】 基板側電極が配置されたベース基板と、基板側電極にはんだを介して電気的に接続されたチップ側電極を有し下面側に光吸収層が形成された半導体素子とを備えた。これにより、レーザ光を上方から照射した際に光吸収層で発生する熱を利用してはんだを溶解させ、故障した半導体素子のみを除去するようにした。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板側電極が配置されたベース基板と、 前記基板側電極にはんだを介して電気的に接続されたチップ側電極を有し下面側に光吸収層が形成された半導体素子とを備えた 半導体装置。

IPC (2件)：

H05K 3/34 ,  H05K 1/18

FI (3件)：

H05K3/34 510 ,  H05K1/18 L ,  H05K3/34 501E

Fターム (16件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC15 ,  5E319AC16 ,  5E319AC17 ,  5E319AC20 ,  5E319BB04 ,  5E319CD57 ,  5E319GG01 ,  5E319GG11 ,  5E336AA04 ,  5E336CC42 ,  5E336CC55 ,  5E336EE01 ,  5E336GG23