特許

J-GLOBAL ID：201503096745022995

エピタキシャルウェハの製造装置および製造方法

発明者： 宮坂 晶
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦 ,  三國 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-159701
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032630
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：

【課題】チャンバの内壁に残留した堆積物からなるパーティクルの低減を図るとともに、高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることを可能とした、エピタキシャルウェハの製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】チャンバ内において、一面4aに凹部が設けられた搭載プレート4と、凹部の内壁面との間に、回転可能なように隙間Lを有するように、凹部に収容されたウェハ支持台3と、を少なくとも有し、搭載プレート4は、凹部の内壁面に一方の端部10aを有し、隙間Lを通じてチャンバ内の反応空間に接続され、パーティクルPがウェハの被処理面Waに接近するのを妨げる第1ガスG1を流す第1流路10と、凹部の内壁面に一方の端部11aを有し、隙間Lに接続され、ウェハ支持台3とともにウェハWを回転させる第2ガスG2を流す第2流路11と、を備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置であって、 前記チャンバ内において、 一面に凹部が設けられた搭載プレートと、 前記凹部の内壁面との間に、回転可能なように隙間を有して、前記凹部に収容されたウェハ支持台と、を少なくとも有し、 前記搭載プレートは、 前記凹部の内壁面に一方の端部を有し、前記隙間を通じて前記チャンバ内の反応空間に接続され、パーティクルが前記ウェハの被処理面に接近するのを妨げる第1ガスを流す第1流路と、 前記凹部の内壁面に一方の端部を有し、前記隙間に接続され、前記ウェハ支持台とともに前記ウェハを回転させる第2ガスを流す第2流路と、を備えていることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030KA24 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP14 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045EE13 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-135014
  
• 特開平4-302138
  
• 半導体製造装置及び半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-120009   出願人：三菱電機株式会社