特許

J-GLOBAL ID：201503097183783676

抵抗変化素子及びその製造方法

発明者： 福田 夏樹 ,  福寿 和紀 ,  西岡 浩 ,  鄒 弘綱
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 大森 純一 ,  折居 章
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-534171
特許番号：特許第5696260号
出願日： 2013年08月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置され、第1の抵抗率を有する第1の金属酸化物層と、 前記第1の金属酸化物層と前記第2の電極との間に配置され、前記第1の抵抗率よりも高い第2の抵抗率を有する第2の金属酸化物層と、 前記第1の電極と前記第1の金属酸化物層との間に配置され、前記第1の抵抗率よりも高く前記第2の抵抗率よりも低い第3の抵抗率を有する電流制限層と を具備する抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/10 448 ,  H01L 45/00 Z ,  H01L 49/00 Z