特許

J-GLOBAL ID：201503097324165840

半導体装置の製造方法

発明者： 西口 俊史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-191139
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056643
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：

【課題】実施形態は、素子構造の微細化に対応して終端部の耐圧を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態は、半導体素子が設けられる素子部と、前記素子部を囲む終端部と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子が形成される第1導電形の半導体層の第1の面から前記第1の面とは反対側の第2の面の方向に延在する複数のトレンチを形成し、前記第1の面および前記複数のトレンチの内面を覆う絶縁膜を形成し、前記複数のトレンチのうちの前記終端部に位置するトレンチの底面に形成された前記絶縁膜の一部を除去し、前記絶縁膜の一部を除去した前記トレンチの底部に第2導電形の不純物をイオン注入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が設けられる素子部と、前記素子部を囲む終端部と、を有する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体素子が形成される第1導電形の半導体層の第1の面から前記第1の面とは反対側の第2の面の方向に延在する複数のトレンチを形成し、 前記第1の面および前記複数のトレンチの内面を覆う絶縁膜を形成し、 前記複数のトレンチのうちの前記終端部に位置するトレンチの底面に形成された前記絶縁膜の一部を除去し、 前記絶縁膜の一部を除去した前記トレンチの底部に第2導電形の不純物をイオン注入する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/41

FI (11件)：

H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301F ,  H01L21/265 U ,  H01L21/265 R ,  H01L29/44 Y

Fターム (11件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104FF10 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-207393   出願人：株式会社東芝