特許
J-GLOBAL ID：201503097719054524

磁気センサ及び磁気センサの製造方法

発明者：
高橋 徹也

高橋 徹也 について


出願人/特許権者：
旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 森 哲也 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-165313
公開番号（公開出願番号）：特開2015-035482
出願日： 2013年08月08日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
要約：
【課題】磁気センサのESD耐性を向上させると共に、その小型化と生産性の向上を可能とした磁気センサ及び磁気センサの製造方法を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に形成されたバッファ層20と、バッファ層20上に形成されたメサ構造の積層部(即ち、メサ構造部)と、積層部の上面側から該積層部の側面の側を通ってバッファ層20の上面側に至る領域に形成された電極部50とを備える。メサ構造部は、活性層30と、活性層30上に形成されたキャップ層40とを有する。電極部50は、バッファ層20の上面と活性層30の側面及びキャップ層40の上面とそれぞれ接している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成されたメサ構造の積層部と、 前記積層部の上面側から該積層部の側面の側を通って前記バッファ層の上面側に至る領域に形成された電極部とを備え、 前記積層部は、活性層と、前記活性層上に形成されたキャップ層とを有し、 前記電極部は、前記バッファ層の上面と前記活性層の側面及び前記キャップ層の上面とそれぞれ接していることを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/06 ,  H01L 43/14 ,  G01R 33/07
FI (4件)：
H01L43/06 H ,  H01L43/06 S ,  H01L43/14 ,  G01R33/06 H
Fターム (15件)：
2G017AA01 ,  2G017AB09 ,  2G017AD53 ,  5F092AA10 ,  5F092AA12 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092BA06 ,  5F092BA12 ,  5F092BA15 ,  5F092BA19 ,  5F092BA20 ,  5F092BA32 ,  5F092CA08 ,  5F092CA25
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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