特許
J-GLOBAL ID:201503097891579981

スパッタリング用チタンターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小越 勇
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012061412
公開番号(公開出願番号):WO2013-105283
出願日: 2012年04月27日
公開日(公表日): 2013年07月18日
要約:
【要約書】高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Sを0.5〜5質量ppm含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が99.995質量%以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。ハイパワースパッタリング(高速スパッタリング)時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Sを合計0.5〜5質量ppmを含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が99.995質量%以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  C22C 14/00
FI (2件):
C23C14/34 A ,  C22C14/00 Z
Fターム (2件):
4K029DC03 ,  4K029DC08

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