特許

J-GLOBAL ID：201503098488803622

固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器

発明者： 宮波 勇樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013050406
公開番号（公開出願番号）：WO2013-111628
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

本開示は、混色の発生をより確実に抑制することができるようにする固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器に関する。光を受光して電荷を発生する複数のPDが形成される半導体基板の受光面側に開口するように、PDどうしの間にトレンチが形成され、そのトレンチに絶縁膜が埋め込まれるとともに、半導体基板の裏面側に絶縁膜が積層される。そして、絶縁膜に対して積層されるように、トレンチに対応する箇所において半導体基板に向かって突出する凸形状となるように遮光部が形成される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。

請求項（抜粋）：

光を受光して電荷を発生する複数の光電変換部が形成される半導体基板と、 前記半導体基板の受光面側に開口するように、前記光電変換部どうしの間に形成される溝部と、 前記溝部に埋め込まれるとともに、前記半導体基板の裏面側に積層される絶縁膜と、 前記絶縁膜に対して積層され、前記溝部に対応する箇所で前記半導体基板に向かって突出する凸形状に形成される遮光部と を備える固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740

Fターム (29件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB14 ,  4M118GC07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118HA25 ,  5C024AX01 ,  5C024CX01 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ34 ,  5C024HX01