特許

J-GLOBAL ID：201503098905993570

双方向フォトサイリスタチップ、光点弧カプラ、ソリッドステートリレー

発明者： 鈴木 成次
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  磯江 悦子 ,  山崎 敏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-213786
公開番号（公開出願番号）：特開2015-076582
出願日： 2013年10月11日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
要約：

【課題】転流特性および光感度を劣化させずにラテラル型PNPトランジスタのベース幅距離を縮めてチップサイズを縮小する。【解決手段】1つのチップ表面に、互いに離間して第1フォトサイリスタ部(40a)および第2フォトサイリスタ部(40b)を備え、上記各フォトサイリスタ部は、N型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域(43)と、他方の導電型を持つ基板(41)と、上記アノード拡散領域(43)に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域(44)と、このゲート拡散領域(44)内に上記アノード拡散領域(43)に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域(45)とを含むPNPN部を有しており、上記基板(41)の厚さ(T)が200μm以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

1つの半導体チップの表面に、互いに離間して形成された第1フォトサイリスタ部および第2フォトサイリスタ部を備え、 上記各フォトサイリスタ部は、N型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域と、N型またはP型のうち他方の導電型を持つ基板と、上記アノード拡散領域に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域と、このゲート拡散領域内に上記アノード拡散領域に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域とを含むPNPN部を有しており、 上記基板の厚さが200μm以下である ことを特徴とする双方向フォトサイリスタチップ。

IPC (5件)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/747 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 31/111

FI (5件)：

H01L29/74 E ,  H01L29/747 ,  H01L29/74 G ,  H01L27/06 T ,  H01L31/10 F

Fターム (16件)：

5F005AC01 ,  5F005AE02 ,  5F005CA02 ,  5F005EA01 ,  5F049MA20 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NA19 ,  5F049NB10 ,  5F049PA08 ,  5F049QA20 ,  5F049RA03 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049TA02 ,  5F049TA06