特許
J-GLOBAL ID：201503099157535420

配線基板の製造方法

発明者：
松澤 主

松澤 主 について


出願人/特許権者：
株式会社イースタン

株式会社イースタン について


代理人 (1件)： 特許業務法人綿貫国際特許・商標事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-186118
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053423
出願日： 2013年09月09日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：
【課題】微細配線に対応して効率よくかつ安価に基板に小径の孔開け加工が行える配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】コンフォーマルマスク4が形成された第1の基板3の両面に電解めっきを行って、開口部4aの開口径を狭めるように導体層5が厚付けされた当該導体層5をマスクとして開口部4aにレーザー光を照射して絶縁樹脂基材層1を除去し有底ビア6が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁樹脂基材の両面に銅箔を密着させてキャリヤ付銅箔が積層された第1の基板を用意する工程と、 前記第1の基板のうち一方の前記キャリヤ付銅箔をエッチングにより除去して開口部を有するコンフォーマルマスクを形成する工程と、 前記コンフォーマルマスクが形成された前記第1の基板の両面に電解めっきを行って、前記キャリヤ付銅箔の開口部壁面を含んで導体層を厚付けする工程と、 前記開口部の開口径を狭めるように前記導体層が厚付けされた当該導体層をマスクとして前記開口部にレーザー光を照射して前記絶縁樹脂基材層を除去して底部に他方のキャリヤ付銅箔の銅箔が露出した有底ビアを形成する工程と、 を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件)：
H05K 3/40
FI (1件)：
H05K3/40 K
Fターム (8件)：
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01 ,  5E317GG20
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM