特許

J-GLOBAL ID：201503099222697084

実装構造体および実装構造体製造方法

発明者： 松本 圭司 ,  折井 靖光 ,  鳥山 和重 ,  小原 さゆり ,  川瀬 桂
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-145629
公開番号（公開出願番号）：特開2015-018958
出願日： 2013年07月11日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

【課題】実装時のチップとチップ支持体との熱膨張率差に起因した反りなどによりLow-k材料に負荷される機械的応力を低減する実装構造体を実現する。【解決手段】そのような実装構造体は、半導体基板の上に形成されたLow-k層と、Low-k層の上に形成された電極層と、Low-k層および電極層の上に形成され、電極層に達する開口を有する保護層と、開口内で電極層の上に開口を埋めて形成された第1半田層と、第1半田層の上に形成された、第1半田層よりも弾性率が小さい第2半田層と、第2半田層に接続して半導体基板を支える支持層とを含み、保護層は、保護層と支持層との間に形成されるアンダーフィル層よりも、弾性率が大きく、熱膨張率が小さい。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成されたLow-k層と、 前記Low-k層の上に形成された電極層と、 前記Low-k層および前記電極層の上に形成され、前記電極層に達する開口を有する保護層と、 前記開口内で前記電極層の上に前記開口を埋めて形成された第1半田層と、 前記第1半田層の上に形成された、前記第1半田層よりも弾性率が小さい第2半田層と、 前記第2半田層に接続して前記半導体基板を支える支持層と、 を含み、 前記保護層は、前記保護層と前記支持層との間に形成されるアンダーフィル層よりも、弾性率が大きく、熱膨張率が小さい、 実装構造体。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (4件)：

H01L21/92 602K ,  H01L21/92 602D ,  H01L21/92 604B ,  H01L21/60 311S

Fターム (3件)：

5F044KK05 ,  5F044KK16 ,  5F044KK18