特許

J-GLOBAL ID：201503099355489522

CZTS系化合物半導体材料及びその利用

発明者： 上田 太郎 ,  高橋 誠治 ,  大川 元 ,  酒井 武信 ,  粟野 宏基 ,  前川 諒介 ,  武田 雄一郎 ,  草野 雄也
出願人/特許権者： 一般財団法人ファインセラミックスセンター ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-172733
公開番号（公開出願番号）：特開2015-040154
出願日： 2013年08月22日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：

【課題】太陽電池用に、より低い焼成温度で焼結可能なCZTS系化合物半導体材料を提供する。【解決手段】Cu、Zn、Sn及びSを主成分とするCZTS系化合物半導体材料を、CZTS系化合物と、焼結助剤としてSn及びZnのいずれか又は双方と、を含むようにし、500〜670°Cの低温での焼成により緻密な焼結体を得る。前記Sn又は、前記Znを、前記CZTS系化合物に対して、1〜9質量%、好ましくは4〜7質量%以下含有させる。また焼成温度好ましくは550〜570°Cの温度、より好ましくは550〜570°Cの温度で焼成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Cu、Zn、Sn及びSを主成分とするCZTS系化合物半導体材料であって、 CZTS系化合物と、 Sn及びZnのいずれか又は双方と、 を含む、材料。

IPC (4件)：

C04B 35/547 ,  H01L 31/06 ,  H01L 21/363 ,  C01G 19/00

FI (4件)：

C04B35/00 T ,  H01L31/04 E ,  H01L21/363 ,  C01G19/00 A

Fターム (17件)：

4G030AA55 ,  4G030AA61 ,  4G030BA02 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL04 ,  5F151AA07 ,  5F151CB13 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06