特許

J-GLOBAL ID：201503099676754694

光電変換装置

発明者： 本多 真也 ,  武田 徹 ,  奈須野 善之 ,  西村 和仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 米津 潔 ,  水方 勝哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-199905
公開番号（公開出願番号）：特開2015-069974
出願日： 2013年09月26日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】 微結晶シリコン層のリーク電流に起因する変換効率の低下を抑制可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】 支持基体上に、光入射側から順に第1電極層と、光電変換層と第2電極層とを備える光電変換装置であって、前記光電変換層は、p型半導体層、i型半導体層、界面層およびn型半導体層を第1電極層側から順に有し、前記p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層は、いずれも微結晶シリコン系半導体からなり、前記界面層は、非晶質シリコン系半導体からなり、n型の導電性を示す。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

支持基体上に、光入射側から順に第1電極層と、光電変換層と第2電極層とを備える光電変換装置であって、 前記光電変換層は、p型半導体層、i型半導体層、界面層およびn型半導体層を第1電極層側から順に有し、 前記p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層は、いずれも微結晶シリコン系半導体からなり、 前記界面層は、非晶質シリコン系半導体からなり、n型の導電性を示すことを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 W

Fターム (14件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA15 ,  5F151DA15 ,  5F151DA18 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03 ,  5F151JA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA05 ,  5F151JA09 ,  5F151JA27