特許

J-GLOBAL ID：201503099944234879

半導体装置

発明者： 増本 一郎
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-176459
公開番号（公開出願番号）：特開2015-046467
出願日： 2013年08月28日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

【課題】半導体装置の安定した動作を実現する。【解決手段】半導体レーザ素子は、半導体基板上に形成されたn型クラッド層と、n型クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に、X方向に互いに離間し、X方向と直交するY方向に延在して形成されp型のストライプ状の複数のリッジストライプRS1〜RS5とを備える電流狭窄構造である。そして、複数のリッジストライプRS1〜RS5のそれぞれのX方向のストライプ幅W1〜W5が、半導体基板の端部から中央部にかけて段階的に小さくなるように形成する。これにより、複数のリッジストライプRS1〜RS5の電流注入量の均一化を図る。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された第1導電型の窒化物半導体からなる第1クラッド層と、 前記第1クラッド層上に形成された活性層と、 前記活性層上に、第1方向に互いに離間して、前記第1方向と直交する第2方向に延在して形成された、前記第1導電型とは異なる第2導電型のストライプ状の複数の窒化物半導体層と、 を有する半導体装置であって、 前記第1方向において、前記窒化物半導体層のストライプ幅が、前記基板の端部から中央部にかけて段階的に小さくなる、半導体装置。

IPC (1件)：

H01S 5/026

FI (1件)：

H01S5/026 610

Fターム (10件)：

5F173AA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AD04 ,  5F173AF25 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR13