研究者
J-GLOBAL ID:201601001584237783   更新日: 2019年05月31日

上村 明

ウエムラ アキラ | Uemura Akira
所属機関・部署:
職名: 助教
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (1件): 酸化物半導体
講演・口頭発表等 (11件):
  • 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した SnO2:N 薄膜の電流電圧特性
    (平成30 年度 電気関係学会四国支部連合大会 2018)
  • スパッタリング法により作製したZnO:P/ITO積層膜の基板温度依存性
    (平成30年度 電気関係学会四国支部連合大会 2018)
  • スパッタリング法により作製したZnO:P/ZnO:Ga薄膜の電流電圧特性における紫外線照射の影響
    (平成29年度 電気関係学会四国支部連合大会 2017)
  • 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したSnO2:N薄膜の電気的性質
    (平成28年度 電気関係学会四国支部連合大会 2016)
  • ZnO薄膜に対するSiO2キャップ層形成の影響
    (平成28年度 電気関係学会四国支部連合大会 2016)
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