研究者
J-GLOBAL ID:201601002222058488   更新日: 2019年11月15日

黒澤 昌志

クロサワ マサシ | KUROSAWA Masashi
所属機関・部署:
職名: 講師
ホームページURL (2件): http://nu2dmaterial.strikingly.comhttp://nu2dmaterial.strikingly.com
競争的資金等の研究課題 (21件):
  • 2019 - 2022 インターカレーションを駆使したゲルマニウムナノシートの電子物性制御
  • 2019 - 2020 再考:絶縁膜上の固相成長 〜極薄ゲルマニウム層の移動度はなぜ低いのか?〜
  • 2019 - 2021 直接遷移型シリコンスズ創出に向けたボンドエンジニアリング構築への挑戦
  • 2019 - 2022 プレーナ型スケーラブル熱電発電機構の実証と展開 (分担)
  • 2019 - 2024 フォノン・電子輸送制御したDirac電子超格子の創製とSi系熱電デバイス開発(分担)
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論文 (106件):
  • Y. Peng, L. Miao, J. Gao, C. Liu, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima. Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation. Scientific Reports. 2019. Vol. 9, No.1, pp.14342-1〜9
  • 中塚理, 黒澤昌志. ゲルマニウム錫IV族混晶薄膜の結晶成長と電子物性. 応用物理. 2019. Vol. 88, No. 9, pp. 597-603
  • M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima. Formation and Optoelectronic Property of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure on Boron-Ion-Implanted Ge(001) Substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 58, No. SI, pp. SIIB23-1〜
  • K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa. Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process. Applied Physics Express. 2019. Vol. 12, No. 5, pp. 051016-1〜6
  • 丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明. GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第24回). 2019. pp. 71-74
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特許 (4件):
  • 半導体薄膜の形成方法
  • 半導体結晶の製造方法、半導体結晶および半導体デバイス
  • 半導体薄膜の形成方法
  • 半導体結晶,その製造方法,及び多層膜構造体
講演・口頭発表等 (377件):
  • 水晶振動子膜厚計の製作とその評価
    (平成16年度電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会 2005)
  • 非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長に於ける触媒種効果(Ni, Co, Cu, Pd)
    (2007年(平成19年)春季 第54回応用物理学関係連合講演会 2007)
  • [CoPt/MgO]n薄膜多層構造に於けるCoPt配向機構の検討
    (2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会 2007)
  • Si(100)基板上に於けるMgO薄膜の結晶化
    (2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会 2007)
  • Orientation Control of CoPt Thin Film by MgO Template
    (International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2007 2007)
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Works (2件):
  • PRESS RELEASE: Large, Good-quality, Monatomic Sheets of Germanene Grown Simply Using Annealing - A Step Closer to the Future of Electronics?
    2018 -
  • プレスレスリリース「世界初!ゲルマニウム結晶からゲルマニウム単原子層シートの分離創製に成功!」
    2018 -
学歴 (4件):
  • - 2005 茨城工業高等専門学校 電気工学科
  • - 2007 九州大学 工学部 電気情報工学科
  • - 2009 九州大学 システム情報科学府 電子デバイス工学専攻
  • - 2012 九州大学 システム情報科学府 電気電子工学専攻
学位 (4件):
  • 準学士(工学) (茨城工業高等専門学校)
  • 学士(工学) (九州大学)
  • 修士(工学) (九州大学)
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (15件):
  • 2009/04/01 - 2012/03/31 日本学術振興会 特別研究員(DC1)
  • 2012/04/01 - 2015/03/31 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2015/04/01 - 2015/04/30 名古屋大学 研究員
  • 2015/04/01 - 2015/04/30 名古屋大学 エコトピア科学研究所 グリーンコンバージョン部門 研究機関研究員
  • 2015/05/01 - 2015/09/30 名古屋大学 特任講師
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委員歴 (5件):
  • 2014/04/07 - 2015/03/31 文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター 専門調査員
  • 2016 - 2016年真空・表面科学合同講演会委員会 委員
  • 2016 - ISCSI-VII/ISTDM2016 実行委員
  • 2018 - 現在 応用物理学会東海地区若手チャプター コアメンバー
  • 2018 - 現在 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会 世話人
受賞 (11件):
  • 2018/11/14 - MNC Organizing Committee MNC2017 Award for Outstanding Paper
  • 2016/09/13 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第38回応用物理学会優秀論文賞
  • 2015/09/28 - SSDM SSDM Paper Award 2015
  • 2015/06/12 - 15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015) Best Paper Award of IWJT 2015
  • 2015/03/13 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第6回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞
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所属学会 (4件):
応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本表面真空学会 ,  日本熱電学会
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