研究者

J-GLOBAL ID：201601004920970710 更新日: 2024年02月01日

加来滋

カクシゲル | Kaku Shigeru

所属機関・部署：

研究分野 (5件)：半導体、光物性、原子物理 , ナノ材料科学 , 応用物理一般 , 結晶工学 , 薄膜、表面界面物性

研究キーワード (6件)：半導体物性 , 表面・界面 , ナノ・超高真空・極低温多重極限環境 , 走査トンネル顕微鏡 , 結晶成長 , 分子線エピタキシー

競争的資金等の研究課題 (16件)：

2023 - 2026 Remote epitaxyにおけるGraphene基板上結晶形成メカニズムの解明
2022 - 2025 Remote epitaxyにおけるGraphene基板上結晶形成メカニズムの解明
2022 - 2025 Graphene/半導体基板上のエピタキシャル結晶成長の解明
2023 - 2024 グラフェンを介したエピタキシャル成長の理解と制御
2022 - 2023 Remote Epitaxy結晶成長における原子配列の精密測定

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論文 (23件)：

Shigeru Kaku, Kota L. Hiwatari, Junji Yoshino. Scanning tunneling microscopy of strained-α-Sn(0 0 1) surface grown on InSb(0 0 1) substrate. Applied Surface Science. 2022. 571. 151347-151347
Shigeru Kaku, Junji Yoshino. Temperature-Dependent Tip-Induced Motion of Ga Adatom on GaAs (110) Surface. Small. 2020. 16. 32. 2002296-2002296
Shigeru Kaku, Tatsuhito Ando, Junji Yoshino. Real Space Imaging of Topological Edge States in InAs/GaSb and InAs/InxGa1-xSb Quantum Wells. ACS Nano. 2019. 13. 11. 12980-12986
Shigeru Kaku, Jun Nakamura, Kazuma Yagyu, Junji Yoshino. Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)-c(4×4)α surfaces. Surface Science. 2014. 625. 84-89
Daiki Nozaki, Shigeru Kaku, Junji Yoshino. Magnetic Anisotropy Constants and Anisotropic Magneto-Resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness. Proceedings of the International Symposium on Science Explored by Ultra Slow Muon (USM2013). 2014

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MISC (1件)：

加来滋, 松元大輔, 渡部行男. 27pYA-4 BaTiO_3エピタキシャル薄膜の伝導異常の実験的解析(27pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)). 日本物理学会講演概要集. 2006. 61. 1. 928-928

学歴 (3件)：

2007 - 2010 九州大学大学院理学府凝縮系科学(物理)専攻博士課程
2005 - 2007 九州大学大学院理学府凝縮系科学(物理)専攻修士課程
2001 - 2005 九州大学理学部物理学科

経歴 (3件)：

2023/04 - 現在法政大学理工学部電気電子工学科准教授
2010/03 - 2023/03 東京工業大学理学院物理学系助教
2007/04 - 2010/03 日本学術振興会特別研究員DC1

委員歴 (3件)：

2014/10 - 2015/09 第34回電子材料シンポジウムノーベル物理学賞記念シンポジウム総務委員(プログラム・論文担当)
2013/10 - 2014/09 第33回電子材料シンポジウム総務委員(プログラム・論文担当)
2011/12 - 2012/11 第16回半導体のおけるスピン工学の基礎と応用(PASPS-16) 実行委員

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , 日本物理学会

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