堀匡寛

ホリマサヒロ | Hori Masahiro

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , ナノ構造物理

研究キーワード (5件)：チャージポンピング法 , 電子スピン共鳴法 , 単一ドーパント原子 , 半導体デバイス , シリコン

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (41件)：

Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces. Communications Physics. 2023. 6. 1. 1-11
Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono, Shiro Saito. Magnetometry of neurons using a superconducting qubit. Communications Physics. 2023. 6. 1. 1-6
Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, Choji Fukuhara. Highly stable Fe/CeO₂ catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H₂S. RSC Advances. 2023. 13. 17. 11525-11529
M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono. Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Applied Physics Express. 2021. 14. 10. 104003_1-4
Masahiro Hori, Yukinori Ono. Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors. Applied Physics Letters. 2021. 118. 26. 263504-263504

MISC (6件)：

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳. Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 471. 7-12
渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳. Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 472. 7-12
渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳. シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 115. 469. 23-26
渡辺時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳. 実時間チャージポンピングの精度評価 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 443. 13-16
品田賢宏, 堀匡寛, GUAGLIARDO Filipo, 小野行徳, 熊谷国憲, 谷井孝至, PRATI Enrico. 招待講演 Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2012. 111. 425. 1-5

講演・口頭発表等 (118件)：

MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) -捕獲電子の再結合課程(II)-
(2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合課程(I)-
(2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature
(Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) 2023)
超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定
(2023年日本物理学会春季大会 2023)
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -
(2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)

学歴 (2件)：

学位 (3件)：

経歴 (5件)：

委員歴 (4件)：

受賞 (11件)：

2021/12 - 公益財団法人浜松電子工学奨励会令和3年度(第35回)高柳研究奨励賞シリコン・トランジスタにおける磁気共鳴下のチャージポンピングに関する研究
2020/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞「Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon」
2020/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞「Charge Pumping Under Spin Resonance in Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor Transistors」
2020/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第11回論文賞
2020/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第11回研究奨励賞

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所属学会 (1件)：

応用物理学会

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