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J-GLOBAL ID：201602000004993257   整理番号：70A0029218

金薄膜の再結晶:その電気的性質への影響

Recrystallization of thin gold films: Influence on their electrical properties.

著者 (4件)： CHAUVINEAU S P ,  CROCE P ,  DEVANT G ,  VERHAEGHE M F
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 6  号： 4  ページ： 776-779  発行年： 1969年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温の非晶質下地に超高真空で蒸着した金薄膜は多くの欠陥を含む微小結晶から成る。その欠陥のいくつかの80-15G°Cで一次再結晶を起こす均一加熱によって消失する。これにより,バルクより100%位大きい残留抵抗がバルクより15-30%大きい程度に減少する。1600A以上の厚い膜では,残留抵抗に明らかに寄与する粒界密度が非常に大きくなる;写図2参12

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  金 ,  再結晶 ,  蒸着膜 ,  電気抵抗 ,  薄膜
準シソーラス用語： 金(薄膜)

タイトルに関連する用語 (3件)： 金薄膜 ,  再結晶 ,  電気的性質