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J-GLOBAL ID：201602000037012685   整理番号：58A0061153

トランジスタ製造法

Transistor Production at Semiconductors Ltd.
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資料名：
Instrum Pract  (Instrument Practice)

Instrum Pract について


巻： 12  号： 12  ページ： 1309-1311  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0190A  CODEN： INPAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Semiconductors社のSwindon工場での,表面障壁型ゲルマニウムトランジスタ生製状況を解説。工場の恒温恒湿のほか防塵などの付帯設備をも述べている。ゲルマニウムの精練,結晶の生成の後,円板状に切り出し研磨する。切り出し研磨はトランズファーマシンにより,自動的にゲルマニウムの厚さをエッチングにより磨き出す。次いでニッケルの針をはんだ付け,洗浄,封入,最後にトランジスタとしての試験を行う行程を略述
分類 (1件)：
分類
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(EC040206)
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タイトルに関連する用語
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トランジスタ について

, 
製造法

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