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J-GLOBAL ID：201602000040344320 整理番号：64A0021496
単結晶での正孔のドリフト移動度
Hole drift mobility in BaTi single crystals.
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資料名：
Phys Lett (Physics Letters)
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巻：
11
号：
1
ページ：
22-23
発行年：
1964年
JST資料番号：
C0600A
ISSN：
0031-9163
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
オランダ (NLD)
抄録/ポイント：
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BaTiQの単結晶は8eVのパソドギャップと大きい誘電率を有している。この試料に陽極からパルスを入れる一つまり正孔を注入し電場の強さをいろいろ変えてパルスが試料を通過する時間の逆数と電場の強さのグラフのこう配から正孔の移動度を決定した。電極に用いる金属により少しの違いはあるが正孔の移動度は90‘Oで8×10gV-1 sec~lである;図1参9
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