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J-GLOBAL ID：201602000044970063   整理番号：71A0044155

CrをドープしたV₂O₃におけるMott転移の臨界的振舞い

Critical behavior of the Mott transition in Cr-doped V₂O₃.

著者 (4件)： JAYARAMAN A ,  McWHN D B ,  REMEIKA J P ,  DERNIER P D
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 9  ページ： 3751-3756  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 298。K以’上の温度で抵抗を圧力の関数として測定する事により,CτをドープしたV,0,における金属一絶縁体転移を研究した。転移点で抵抗は不連続に変化する。臨界温度以上で,なめらかな,しかしいくらか異常な抵抗変化が見られる。500-600.K近傍での純V・O・の高温抵抗異常は超臨界的振舞による。また,CrをドープしたV,0,におけるM-1転移はγ-αCe転移と多くの類似性があり・これらもまた議論する;写図8表2参18

シソーラス用語： Mott転移 ,  導電率 ,  臨界現象
準シソーラス用語： V₂O₃ ,  金属-絶縁体転移 ,  電気抵抗率

タイトルに関連する用語 (5件)： Cr ,  ドープ ,  Mott転移 ,  臨界 ,  振舞い