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J-GLOBAL ID：201602000069718474   整理番号：66A0288091

線照射によるシリコン表面の損傷

X Silicon surface damage due to gamma radiation.

著者 (2件)： LITTLJSJOHN M A ,  LADE R W
資料名： Proc Natl Electron Conf  (Proceedings of the National Electronics Conference)
巻： 21  ページ： 67-71  発行年： 1965年 
JST資料番号： H0316A  CODEN： PNECA   資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 表面再結合速度の変化によって,シリコン表面における,低エネルギーγ線損傷の効果を調べた。表面再結合速度は,光電導の減衰時間から,測定した。用いたγ線は,60coから発生したもので,0.25×106Fレhの割合で30min照射した。用いたシリコンは,n型,p型100・g-cmのものであった。n型,p型いづれ(z)場合にも,ノくンドの表面の曲りは,下に向けられ,n型の方が,少数担体の寿命が短くなる傾向,即ち表面再結合速度が増大する傾向が,大きいことが明らかとなった;図9参21

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  損傷